В сеть просочились данные, что в недрах TSMC добились достаточных успехов в разработке 2-нм архитектуры создания чипсетов. Если верить данным утечек, то в новом 2-нм техпроцессе будут использоваться полевые транзисторы с несколькими мостовыми каналами – MBCFET. Напомним, что сейчас в архитектурах 3 и 5-нм используются полевые транзисторы ребристого типа – FinFET. Это дает нам понять, что данная разработка еще на одну ступень передвигает производителя вперед по отношению к Samsung.
Представители TSMC заявляют, что они оптимистично настроены в отношении доходности новой продукции. И это, не взирая на риски, которые могут появиться спустя время. Более того, с таким раскладом они надеются, даже уверены, что большие заказы на поставку комплектующих будут принадлежать им. В особенности, это касается сотрудничества с Apple. Ожидается, что на рынке чипсеты, созданные на архитектуре 2-нм выдут в 2024 году.
Напомним, что еще в прошлом году представители TSMC выделили для этих исследований отдел, часть оборудования и необходимое финансирование. Более того, несмотря на всего лишь работу над технологией 2-нм, разработчики TSMC рассчитывают на большее и уже готовы начать работу над покорением очередной вершины – 1-нм архитектуры. Также в планах производителя расширить заводы по производству чипсетов 2-нм архитектуры. Для этих целей в Тайване будет создано отдельное предприятие.
