Компания Samsung объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 с ёмкостью в 512 ГБ. Новинка выполнена по технологии High-K Metal Gate (HKMG), вдвое превосходит DDR4 по скорости и потребляет меньше энергии.
Сама технология HKMG — это производите полупроводников с использованием особых диэлектриков. Их диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Ранее технологию применяли для производства чипов памяти GDDR6 (применяется в современных видеокартах).
Один модуль ОЗУ нового типа объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это даёт 512 ГБ ОЗУ и частоту до 7200 МГц. Потребление энергии на 13% ниже, чем у DDR4.
Такие модули предназначены для суперкомпьютеров и систем, которые работают с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Пока что идёт тестирование новинок.
