Когда мы говорим о комплектующих к смартфонам, последней компанией о которой можно говорить в этом конспекте, является IBM. Но как это ни странно, именно в недрах этого гиганта удалось впервые создать 2-нанометровый чип. Вернее не сам чип, а технологический узел к нему, то есть — транзистор. Этого удалось достичь благодаря технологии Gate-All-Around, которая позволит в одном чипсете поместить около 50 миллиардов транзисторов.
Самой близкой технологией к 2-нанометрам считается 5-нанометровая технология, а это чипы A14 Bionic и Snapdragon 888. Первый содержит 11,8 миллиарда транзисторов, что примерно 134 миллиона на квадратный миллиметр. К чему может привести такая гонка вооружений? Все очень просто: чем больше количество транзисторов, тем мощнее и энергоэффективнее будет чипсет.
Если сравнить два последних поколения — 5- и 7-нм, то второй на 45% мощнее и на 75% энергоэффективнее первого. Для того чтобы получить такую плотность транзисторов, производитель применил экстремальную ультрафиолетовую литографию. Если эта технология пойдет в массы, то она сможет сотворить чудо с временем автономной работы мобильных устройств. Речь ведется об увеличении этого показателя в четыре раза.
